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S29GL512T11TFIV10

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  • 제품 모델
    S29GL512T11TFIV10
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    S29GL512T11TFIV10.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    60ns
  • 전압 - 공급
    1.65 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NOR
  • 제조업체 장치 패키지
    56-TSOP
  • 연속
    GL-T
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 다른 이름들
    428-3620
    S29GL512T11TFIV10-ND
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 110ns 56-TSOP
  • 액세스 시간
    110ns

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S29GL512T11FAIV10

S29GL512T11FAIV10

기술: IC FLASH 512M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29GL512T11FHIV20

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29GL512T12DHN020

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29GL512T11FHIV13

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29GL512T11TFB023

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기술: IC 512 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29GL512T11TFIV30

S29GL512T11TFIV30

기술: IC 512 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29GL512T11FAIV23

S29GL512T11FAIV23

기술: IC FLASH 512M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
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S29GL512T12DHN013

S29GL512T12DHN013

기술: IC FLASH 512M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29GL512T11TFB020

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기술: IC 512 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29GL512T11FHIV10

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29GL512T12DHVV10

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

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S29GL512T11TFIV20

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC FLASH 512M PARALLEL

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S29GL512T11TFIV33

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기술: IC 512 MB FLASH MEMORY

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S29GL512T11TFV020

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