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S29VS256RABBHW003

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  • 제품 모델
    S29VS256RABBHW003
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    S29VS256RABBHW003.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    60ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    FLASH - NOR
  • 제조업체 장치 패키지
    44-FBGA (7.5x5)
  • 연속
    VS-R
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    44-VFBGA
  • 작동 온도
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 제조업체 표준 리드 타임
    22 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NOR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 108MHz 80ns 44-FBGA (7.5x5)
  • 클럭 주파수
    108MHz
  • 액세스 시간
    80ns

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제조업체: Cypress Semiconductor
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S29WS128N0LBFA0A0

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기술: IC MEMORY NOR

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S29WS064RABBHI010

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기술: IC FLASH 64M PARALLEL 84FBGA

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S29WS064RABBHW000

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기술: IC FLASH 64M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29VS256RABBHI010

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기술: IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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S29VS256R0SBHW003

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기술: IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA

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기술: IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA

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S29VS256RABBHI013

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기술: IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA

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S29VS256RABBHI000

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