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S34MS04G200BHB003

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  • 제품 모델
    S34MS04G200BHB003
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    S34MS04G200BHB003.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    45ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND
  • 제조업체 장치 패키지
    63-BGA (11x9)
  • 연속
    MS-2
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    63-VFBGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 45ns 63-BGA (11x9)
  • 액세스 시간
    45ns

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
RFQ
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
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S34MS04G200BHI900

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

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S34MS04G204BHI013

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

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S34MS04G200BHV003

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

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