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IHB4EB682K

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  • 제품 모델
    IHB4EB682K
  • 제조업체 / 브랜드
    Dale / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IHB-4 6.8K 10% EB E2
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IHB4EB682K.pdf
  • 유형
    Wirewound
  • 용인
    ±10%
  • 제조업체 장치 패키지
    -
  • 크기 / 치수
    1.600" Dia (40.64mm)
  • 차폐
    Unshielded
  • 연속
    IHB
  • 등급
    -
  • Q 인자, 주파수
    -
  • 포장
    -
  • 패키지 / 케이스
    Radial
  • 작동 온도
    -55°C ~ 130°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 소재 - 코어
    -
  • 제조업체 표준 리드 타임
    22 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 인덕턴스 주파수 - 테스트
    1kHz
  • 인덕턴스
    6.8mH
  • 높이 - 장착 (최대)
    1.030" (26.16mm)
  • 주파수 - 자기 공진
    -
  • 풍모
    -
  • 상세 설명
    6.8mH Unshielded Wirewound Inductor 1.1A 1.76 Ohm Max Radial
  • DC 저항 (DCR)
    1.76 Ohm Max
  • 정격 전류
    1.1A
  • 전류 - 포화
    -

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IHB4EB331K

IHB4EB331K

기술: IHB-4 330 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
유품
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IHB5BV101K

IHB5BV101K

기술: IHB-5 100 10% B40

제조업체: Dale / Vishay
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IHB5BV151K

IHB5BV151K

기술: IHB-5 150 10% B40

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유품
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IHB5BV103K

IHB5BV103K

기술: IHB-5 10K 10% B40

제조업체: Dale / Vishay
유품
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IHB4EB150K

IHB4EB150K

기술: IHB-4 15 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
유품
RFQ
IHB5BV150K

IHB5BV150K

기술: IHB-5 15 10% B40

제조업체: Dale / Vishay
유품
RFQ
IHB4EB330K

IHB4EB330K

기술: IHB-4 33 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
유품
RFQ
IHB4EB332K

IHB4EB332K

기술: IHB-4 3.3K 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
유품
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IHB4EB121K

IHB4EB121K

기술: IHB-4 120 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
유품
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IHB5BV121K

IHB5BV121K

기술: IHB-5 120 10% B40

제조업체: Dale / Vishay
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IHB4EB470K

IHB4EB470K

기술: IHB-4 47 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB5BV152K

IHB5BV152K

기술: IHB-5 1.5K 10% B40

제조업체: Dale / Vishay
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RFQ
IHB5BV123K

IHB5BV123K

기술: IHB-5 12K 10% B40

제조업체: Dale / Vishay
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IHB4EB100K

IHB4EB100K

기술: IHB-4 10 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB5BV100K

IHB5BV100K

기술: IHB-5 10 10% B40

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IHB4EB182K

IHB4EB182K

기술: IHB-4 1.8K 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB4EB391K

IHB4EB391K

기술: IHB-4 390 10% EB E2

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기술: IHB-4 1K 10% EB E2

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기술: IHB-5 1.2K 10% B40

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기술: IHB-5 1K 10% B40

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