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666039310A06-T 이미지Diodes Incorporated

10A06-T

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유품
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규격
  • 제품 모델
    10A06-T
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 800V 10A R6
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1V @ 10A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    800V
  • 제조업체 장치 패키지
    R-6
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    R6, Axial
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 800V 10A Through Hole R-6
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 800V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    10A
  • VR, F @ 용량
    80pF @ 4V, 1MHz
10A05-T

10A05-T

기술: DIODE GEN PURP 600V 10A R6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
10A009

10A009

기술: XFRMR LAMINATED THRU HOLE

제조업체: Tamura
유품
10AS016C3U19I2SG

10AS016C3U19I2SG

기술: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

제조업체: Intel® FPGAs
유품
10AS016C3U19E2LG

10AS016C3U19E2LG

기술: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

제조업체: Intel® FPGAs
유품
10A01-TP

10A01-TP

기술: DIODE GEN PURP 50V 10A R-6

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
10AS016C4U19E3LG

10AS016C4U19E3LG

기술: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

제조업체: Intel® FPGAs
유품
10A015

10A015

기술: TRANS RF BIPO 6W 750MA 55FT2

제조업체: Microsemi
유품
10AS016C4U19I3SG

10AS016C4U19I3SG

기술: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

제조업체: Intel® FPGAs
유품
10AMPS-CSTKIT

10AMPS-CSTKIT

기술: 10 AMPS CURRENT SENSE TRAN PBC

제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
10A060

10A060

기술: TRANS RF BIPO 21W 3A 55FT-2

제조업체: Microsemi
유품
10AS016C4U19I3LG

10AS016C4U19I3LG

기술: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

제조업체: Intel® FPGAs
유품
10AS016C3U19I2LG

10AS016C3U19I2LG

기술: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

제조업체: Intel® FPGAs
유품
10AS016C4U19E3SG

10AS016C4U19E3SG

기술: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

제조업체: Intel® FPGAs
유품
10AS016E3F27E1HG

10AS016E3F27E1HG

기술: IC SOC FPGA 240 I/O 672FBGA

제조업체: Intel® FPGAs
유품
10A02-T

10A02-T

기술: DIODE GEN PURP 100V 10A R6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
10A07-T

10A07-T

기술: DIODE GEN PURP 1KV 10A R6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
10AS016C3U19E2SG

10AS016C3U19E2SG

기술: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

제조업체: Intel® FPGAs
유품
10A01-T

10A01-T

기술: DIODE GEN PURP 50V 10A R6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
10A04-T

10A04-T

기술: DIODE GEN PURP 400V 10A R6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
10A030

10A030

기술: TRANS RF BIPO 13W 1.5A 55FT2

제조업체: Microsemi
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