Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 다이오드 정류기-단일 > B250AE-13
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
2344449

B250AE-13

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
5000+
$0.066
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    B250AE-13
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE SCHOTTKY 50V 2A SMA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 준수
  • 사양서
    B250AE-13.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    650mV @ 2A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    50V
  • 제조업체 장치 패키지
    SMA
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AC, SMA
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Schottky
  • 상세 설명
    Diode Schottky 50V 2A Surface Mount SMA
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    100µA @ 50V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    2A
  • VR, F @ 용량
    75pF @ 4V, 1MHz

NVIDIA RTX 5090 그래픽 카드의 GPU 영역은 744mm ²이며 이전 ...

2024년11월25일

Anthropic은 아마존으로부터 40 억 달러의 투자를 더받으며, 두...

2024년11월23일

Semi : IC 판매량은 3 분기에 12% 증가하고, 성장은 Q4로 ...

2024년11월22일

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일
배송
지불
다음은 "B250AE-13"관련 제품입니다.
B250C800DM-E3/45

B250C800DM-E3/45

기술: DIODE BRIDGE 0.9A 400V 6DIP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
B250-13-F

B250-13-F

기술: DIODE SCHOTTKY 50V 2A SMB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
B250-13

B250-13

기술: DIODE SCHOTTKY 50V 2A SMB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
B250A-13-F

B250A-13-F

기술: DIODE SCHOTTKY 50V 2A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
B250C1500G-E4/51

B250C1500G-E4/51

기술: DIODE BRIDGE 1.5A 400V WOG

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
B2517JT

B2517JT

기술: IC CHIP

제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
RFQ
B250C800G-E4/51

B250C800G-E4/51

기술: DIODE BRIDGE 0.9A 400V WOG

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
B2503

B2503

기술: RF ANT 265MHZ WHIP STR NMO BASE

제조업체: Laird Technologies - Antennas
유품
RFQ
B25610A4118J304

B25610A4118J304

기술: POWER CAPACITOR

제조업체: EPCOS
유품
RFQ
B250AQ-13-F

B250AQ-13-F

기술: DIODE SCHOTTKY 50V 2A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
B2517J

B2517J

기술: IC CHIP

제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
RFQ
B250C1000G-E4/51

B250C1000G-E4/51

기술: DIODE BRIDGE 1A 400V WOG

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
B250Q-13-F

B250Q-13-F

기술: DIODE SCHOTTKY 50V 2A SMB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
B250A-13

B250A-13

기술: DIODE SCHOTTKY 50V 2A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
B2550

B2550

기술: IC CHIP

제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
RFQ
B250BE-13

B250BE-13

기술: DIODE SCHOTTKY 50V 2A SMB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
B2517JB.01

B2517JB.01

기술: IC CHIP

제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
RFQ
B2550T

B2550T

기술: IC CHIP

제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
RFQ
B250AF-13

B250AF-13

기술: DIODE SCHOTTKY 50V 2A SMAF

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
B2517JB.01T

B2517JB.01T

기술: IC CHIP

제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.