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DGD2103AS8-13 이미지

Diodes Incorporated

DGD2103AS8-13

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규격

제품 모델

DGD2103AS8-13
제조업체 / 브랜드

Diodes Incorporated
재고 수량

유품
기술

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

DGD2103AS8-13.pdf
전압 - 공급

10 V ~ 20 V
제조업체 장치 패키지

8-SO
연속

-
상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 50ns
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들

DGD2103AS8-13DITR
작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)
입력 주파수

2
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
논리 전압 - VIL, VIH

0.8V, 2.5V
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 유형

Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩)

600V
게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET
구동 구성

Half-Bridge
상세 설명

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA
베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대)

Independent

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기술: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

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DGD21064S14-13

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제조업체: Diodes Incorporated

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기술: IC GATE DVR HV 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated

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