Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-어레이 > DI9956T
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
6355218DI9956T 이미지Diodes Incorporated

DI9956T

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$3.04
10+
$2.731
100+
$2.195
500+
$1.803
1000+
$1.494
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    DI9956T
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.8V @ 250µA
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SOP
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    80 mOhm @ 2.2A, 10V
  • 전력 - 최대
    2W
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 다른 이름들
    DI9956
    DI9956CT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    320pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • FET 유형
    2 N-Channel (Dual)
  • FET 특징
    Logic Level Gate
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.7A 2W Surface Mount 8-SOP
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    3.7A
  • 기본 부품 번호
    DI9956
SQJ960EP-T1_GE3

SQJ960EP-T1_GE3

기술: MOSFET 2N-CH 60V 8A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
ALD212908SAL

ALD212908SAL

기술: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices, Inc.
유품
SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

기술: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
FDW2512NZ

FDW2512NZ

기술: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
DI9952T

DI9952T

기술: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
AON4807_101

AON4807_101

기술: MOSFET P-CH DUAL DFN

제조업체: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
유품
BSZ0909NDXTMA1

BSZ0909NDXTMA1

기술: MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
NTJD4401NT4G

NTJD4401NT4G

기술: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
DI9400T

DI9400T

기술: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP

제조업체: Diodes Incorporated
유품
SI5903DC-T1-E3

SI5903DC-T1-E3

기술: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
APTM100H46FT3G

APTM100H46FT3G

기술: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

제조업체: Microsemi
유품
DI9405T

DI9405T

기술: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
SQJ963EP-T1_GE3

SQJ963EP-T1_GE3

기술: MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
MMDF3N04HDR2G

MMDF3N04HDR2G

기술: MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
DI9430T

DI9430T

기술: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP

제조업체: Diodes Incorporated
유품
PMDPB70XPE,115

PMDPB70XPE,115

기술: MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON

제조업체: Nexperia
유품
DI9435T

DI9435T

기술: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP

제조업체: Diodes Incorporated
유품
IRF5810TR

IRF5810TR

기술: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
DI9942T

DI9942T

기술: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DI9945T

DI9945T

기술: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오