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1172064DMG2302UQ-7 이미지Diodes Incorporated

DMG2302UQ-7

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유품
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규격
  • 제품 모델
    DMG2302UQ-7
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMG2302UQ-7.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1V @ 50µA
  • Vgs (최대)
    ±8V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-23-3
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    90 mOhm @ 3.6A, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    800mW (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 다른 이름들
    DMG2302UQ-7DI
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    594.3pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    7nC @ 4.5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    N-Channel 20V 4.2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    4.2A (Ta)

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유품
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DMG263010R

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DMG2302UK-7

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DMG263020R

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기술: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
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DMG2305UXQ-7

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기술: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
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DMG264020R

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기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

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DMG2301U-7

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기술: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23

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기술: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

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DMG2305UXQ-13

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기술: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

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DMG264040R

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기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

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DMG2302UK-13

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DMG2302U-7

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