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5419376DMG301NU-13 이미지Diodes Incorporated

DMG301NU-13

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규격
  • 제품 모델
    DMG301NU-13
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMG301NU-13.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    8V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-23
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    4 Ohm @ 400mA, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    320mW (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 다른 이름들
    DMG301NU-13DITR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    24 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    27.9pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    0.36nC @ 4.5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    2.7V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    25V
  • 상세 설명
    N-Channel 25V 260mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    260mA (Ta)
  • 기본 부품 번호
    DMG301

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DMG3407SSN-7

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기술: MOSFET P-CH 30V 4A SC59

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DMG3404L-7

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기술: MOSFET P-CH 30V 3A SC59

제조업체: Diodes Incorporated
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DMG264060R

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기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

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DMG264010R

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기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

제조업체: Panasonic
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DMG301NU-7

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기술: MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23

제조업체: Diodes Incorporated
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DMG264050R

DMG264050R

기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

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DMG3406L-7

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기술: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

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DMG3406L-13

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기술: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

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DMG263020R

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기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5

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DMG263010R

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기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5

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DMG302PU-13

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기술: MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23

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DMG302PU-7

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DMG264H00R

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기술: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

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기술: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

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