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2450979DMG3414U-7 이미지Diodes Incorporated

DMG3414U-7

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유품
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규격
  • 제품 모델
    DMG3414U-7
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMG3414U-7.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    900mV @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±8V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-23-3
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    780mW (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 다른 이름들
    DMG3414U-7DITR
    DMG3414U7
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    829.9pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    9.6nC @ 4.5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    N-Channel 20V 4.2A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    4.2A (Ta)

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DMG3415U-7

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제조업체: Diodes Incorporated
유품
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DMG3N60SCT

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제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
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제조업체: Diodes Incorporated
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RFQ
DMG3404L-13

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제조업체: Diodes Incorporated
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제조업체: Diodes Incorporated
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DMG3418L-13

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제조업체: Diodes Incorporated
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DMG3407SSN-7

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기술: MOSFET P-CH 30V 4A SC59

제조업체: Diodes Incorporated
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기술: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

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DMG3418L-7

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기술: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
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RFQ
DMG3404L-7

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기술: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
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DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7

기술: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

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기술: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

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DMG3415UFY4Q-7

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기술: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

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DMG302PU-13

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기술: MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23

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DMG3413L-7

기술: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
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RFQ
DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13

기술: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

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DMG3401LSN-7

DMG3401LSN-7

기술: MOSFET P-CH 30V 3A SC59

제조업체: Diodes Incorporated
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