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DMHC6070LSD-13 이미지

Diodes Incorporated

DMHC6070LSD-13

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유품

2500+

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온라인 문의

규격

제품 모델

DMHC6070LSD-13
제조업체 / 브랜드

Diodes Incorporated
재고 수량

유품
기술

MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

DMHC6070LSD-13.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

3V @ 250µA
제조업체 장치 패키지

8-SO
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

100 mOhm @ 1A, 10V
전력 - 최대

1.6W
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들

DMHC6070LSD-13DITR
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

32 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

731pF @ 20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

11.5nC @ 10V
FET 유형

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET 특징

Standard
소스 전압에 드레인 (Vdss)

60V
상세 설명

Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 3.1A, 2.4A 1.6W Surface Mount 8-SO
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A, 2.4A

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다음은 "DMHC6070LSD-13"관련 제품입니다.

STS4DPF20L

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제조업체: STMicroelectronics

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DMHA14R5V353M4ATA0

DMHA14R5V353M4ATA0

기술: SUPERCAPACITOR

제조업체: Murata Electronics

유품

PHN210,118

PHN210,118

기술: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale

유품

DMHC4035LSD-13

기술: MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated

유품

EPC2104ENG

기술: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

제조업체: EPC

유품

DMHC10H170SFJ-13

DMHC10H170SFJ-13

기술: MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMHS-1

기술: STRAP DMM HANGING

제조업체: Greenlee Communications

유품

DMH-E-001

DMH-E-001

기술: CONN BACKSHELL DB9 DIECAST STR

제조업체: Bel

유품

DMHT6016LFJ-13

기술: MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12

제조업체: Diodes Incorporated

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DMH-E-003

DMH-E-003

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DMHC3025LSD-13

기술: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO

제조업체: Diodes Incorporated

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DMHE001

DMHE001

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제조업체: Bel

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FDPC8011S

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DMHC3025LSDQ-13

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기술: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC

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DMH-A-001

DMH-A-001

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NDS9933A

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DMHC4035LSDQ-13

DMHC4035LSDQ-13

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제조업체: Diodes Incorporated

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EM6K7T2R

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제조업체: LAPIS Semiconductor

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