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6714642DMN1019UVT-13 이미지Diodes Incorporated

DMN1019UVT-13

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유품
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규격
  • 제품 모델
    DMN1019UVT-13
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMN1019UVT-13.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    800mV @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±8V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TSOT-26
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    1.73W (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 다른 이름들
    DMN1019UVT-13DI
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2588pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    50.4nC @ 8V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    12V
  • 상세 설명
    N-Channel 12V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-26
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    10.7A (Ta)

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DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7

기술: MOSFET N-CH30V SC-59

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

기술: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

기술: MOSFET N-CH 100V 4.2A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

기술: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1004UFV-13

DMN1004UFV-13

기술: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7

기술: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

기술: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1004UFV-7

DMN1004UFV-7

기술: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

기술: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

기술: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

기술: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

기술: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

기술: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

기술: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

기술: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

기술: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1006UCA6-7

DMN1006UCA6-7

기술: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

기술: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1008UFDF-13

DMN1008UFDF-13

기술: MOSFET N-CH30V SC-59

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

기술: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
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