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DMN10H120SFG-13

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유품
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규격
  • 제품 모델
    DMN10H120SFG-13
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMN10H120SFG-13.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerDI3333-8
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    110 mOhm @ 3.3A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1W (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerVDFN
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    549pF @ 50V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    10.6nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    6V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    100V
  • 상세 설명
    N-Channel 100V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    3.8A (Ta)

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DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

기술: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

기술: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

기술: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

기술: MOSFET N-CH 100V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

기술: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

기술: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

기술: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

기술: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

기술: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

기술: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

기술: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

기술: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

기술: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

기술: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

기술: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

기술: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

기술: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

기술: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

기술: MOSFET N-CH 100V 4.2A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

기술: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
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