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911875DMN10H170SVTQ-7 이미지Diodes Incorporated

DMN10H170SVTQ-7

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유품
1+
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10+
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100+
$0.462
500+
$0.339
1000+
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규격
  • 제품 모델
    DMN10H170SVTQ-7
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMN10H170SVTQ-7.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TSOT-26
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    160 mOhm @ 5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.2W (Ta)
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 다른 이름들
    DMN10H170SVTQ-7DIDKR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    24 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1167pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    9.7nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    100V
  • 상세 설명
    N-Channel 100V 2.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    2.6A (Ta)

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DMN1150UFB-7B

DMN1150UFB-7B

기술: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

기술: MOSFET N-CH 100V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

기술: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7

기술: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

기술: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

기술: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

기술: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H220L-13

DMN10H220L-13

기술: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

기술: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

기술: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

기술: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

기술: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H700S-13

DMN10H700S-13

기술: MOSFET NCH 100V 700MA SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

기술: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7

기술: MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

기술: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

기술: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

기술: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

기술: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

기술: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
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