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DMN1250UFEL-7 이미지

Diodes Incorporated

DMN1250UFEL-7

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규격

제품 모델

DMN1250UFEL-7
제조업체 / 브랜드

Diodes Incorporated
재고 수량

유품
기술

MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

DMN1250UFEL-7.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

1V @ 250µA
제조업체 장치 패키지

U-QFN1515-12
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

450 mOhm @ 200mA, 4.5V
전력 - 최대

660mW
포장

Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스

12-UFQFN Exposed Pad
다른 이름들

DMN1250UFEL-7DICT
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

16 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

190pF @ 6V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

1.9nC @ 4.5V
FET 유형

8 N-Channel, Common Gate, Common Source
FET 특징

Standard
소스 전압에 드레인 (Vdss)

12V
상세 설명

Mosfet Array 8 N-Channel, Common Gate, Common Source 12V 2A 660mW Surface Mount U-QFN1515-12
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

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DMN10H220LVT-13

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기술: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223

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기술: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

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기술: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363

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DMN1150UFL3-7

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