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4591017DMN2005K-7 이미지Diodes Incorporated

DMN2005K-7

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유품
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10+
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100+
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500+
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1000+
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규격
  • 제품 모델
    DMN2005K-7
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMN2005K-7.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    900mV @ 100µA
  • Vgs (최대)
    ±10V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-23-3
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    1.7 Ohm @ 200mA, 2.7V
  • 전력 소비 (최대)
    350mW (Ta)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 다른 이름들
    DMN2005K-7DICT
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    1.8V, 2.7V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    N-Channel 20V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    300mA (Ta)

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DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13

기술: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2004WK-7

DMN2004WK-7

기술: MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2004DWKQ-7

DMN2004DWKQ-7

기술: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13

기술: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2004VK-7

DMN2004VK-7

기술: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7

기술: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7

기술: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

기술: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7

기술: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7

기술: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

기술: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

기술: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

기술: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7

기술: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2004TK-7

DMN2004TK-7

기술: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7

기술: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

기술: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2004K-7

DMN2004K-7

기술: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7

기술: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

기술: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

제조업체: Diodes Incorporated
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