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4878616DMN2016LHAB-7 이미지Diodes Incorporated

DMN2016LHAB-7

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유품
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규격
  • 제품 모델
    DMN2016LHAB-7
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMN2016LHAB-7.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1.1V @ 250µA
  • 제조업체 장치 패키지
    U-DFN2030-6
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    15.5 mOhm @ 4A, 4.5V
  • 전력 - 최대
    1.2W
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    6-UDFN Exposed Pad
  • 다른 이름들
    DMN2016LHAB-7DITR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    20 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1550pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • FET 유형
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET 특징
    Logic Level Gate
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7.5A 1.2W Surface Mount U-DFN2030-6
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    7.5A

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DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

기술: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2022UNS-13

DMN2022UNS-13

기술: MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

기술: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2022UNS-7

DMN2022UNS-7

기술: MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2022UFDF-7

DMN2022UFDF-7

기술: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

기술: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

기술: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

기술: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

기술: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

기술: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7

기술: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7

기술: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

기술: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

기술: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2026UVT-13

DMN2026UVT-13

기술: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

기술: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

기술: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2022UFDF-13

DMN2022UFDF-13

기술: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

기술: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

기술: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

제조업체: Diodes Incorporated
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