Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

*회사명
*이름
*제목

*이메일 주소
*전화 번호

*국가
*접촉 창
*이벤트 날짜

*메시지

Electronica 2024의 방문자

당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.

집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-어레이 > DMN2300UFL4-7

RFQs/주문 (0)

한국의

한국의

6310339

DMN2300UFL4-7 이미지

Diodes Incorporated

DMN2300UFL4-7

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품

3000+

$0.17

온라인 문의

규격

제품 모델

DMN2300UFL4-7
제조업체 / 브랜드

Diodes Incorporated
재고 수량

유품
기술

MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

DMN2300UFL4-7.pdf
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

950mV @ 250µA
제조업체 장치 패키지

X2-DFN1310-6
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

195 mOhm @ 300mA, 4.5V
전력 - 최대

530mW
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

6-XFDFN Exposed Pad
다른 이름들

DMN2300UFL4-7DITR
DMN2300UFL47
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

64.3pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

1.6nC @ 4.5V
FET 유형

2 N-Channel (Dual)
FET 특징

Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss)

20V
상세 설명

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.11A 530mW Surface Mount X2-DFN1310-6
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.11A

관련 뉴스
배송
지불 방법

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025년1월26일

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025년1월13일

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024년12월31일

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024년12월23일

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024년12월12일

Microchip은 500 건의 해고를 발표했으며 구조 조정 비용은 3,8...

2024년12월4일

Quanta : AI 수요는 꾸준한 명령 스트림으로 계속 강력합니다.

2024년12월3일

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024년12월2일

삼성은 3D NAND 생산에서 Photoresist 사용을 크게 줄여 공급 ...

2024년12월2일

Vishay는 인수 된 NWF 웨이퍼 팹에 5,100 만 파운드를 투자 할 ...

2024년11월29일

트럼프의 관세 위협, Nvidia, Intel 공급 업체는 멕시코 계획을...

2024년11월28일

Intel은 미국 칩 법에 따라 7,800 억 달러의 보조금을 받고 110...

2024년11월27일

배송

지불

다음은 "DMN2300UFL4-7"관련 제품입니다.

DMN2230UQ-13

기술: MOSFET NCH 20V 2A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN24H3D5L-7

기술: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN2215UDM-7

기술: MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN2400UV-7

기술: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN2300UFD-7

기술: MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN2230U-7

기술: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN24H3D5L-13

기술: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN2400UFD-7

기술: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN2450UFD-7

기술: MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN2230UQ-7

기술: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN2400UFB-7

기술: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN2250UFB-7B

기술: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13

기술: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN2300UFB-7B

기술: MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN2400UFDQ-7

DMN2400UFDQ-7

기술: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN2320UFB4-7B

기술: MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN2300UFB4-7B

기술: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN2400UFB4-7

기술: MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN21D2UFB-7B

기술: MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN2300U-7

기술: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated

유품

우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.

팔로우

이용 약관 침해 정책 조회를 요청하다 우리에 대해 문의하기 소식 사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.