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5683154DMN3008SFGQ-7 이미지Diodes Incorporated

DMN3008SFGQ-7

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유품
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규격
  • 제품 모델
    DMN3008SFGQ-7
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMN3008SFGQ-7.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerDI3333-8
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    4.4 mOhm @ 13.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    900mW (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerVDFN
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    3690pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    86nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 17.6A (Ta), 62A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    17.6A (Ta), 62A (Tc)

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DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B

기술: MOSFET N-CH 20V 0.51A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3008SFG-7

DMN3008SFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3008SCP10-7

DMN3008SCP10-7

기술: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

기술: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3008SFGQ-13

DMN3008SFGQ-13

기술: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3007LSS-13

DMN3007LSS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3008SFG-13

DMN3008SFG-13

기술: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B

기술: MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

기술: MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3009LFVW-13

DMN3009LFVW-13

기술: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

기술: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

기술: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3005LK3-13

DMN3005LK3-13

기술: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7

기술: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

기술: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3009SFG-13

DMN3009SFG-13

기술: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

기술: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3007LSSQ-13

DMN3007LSSQ-13

기술: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13

기술: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
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