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3179182DMN3027LFG-7 이미지Diodes Incorporated

DMN3027LFG-7

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유품
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규격
  • 제품 모델
    DMN3027LFG-7
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMN3027LFG-7.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1.8V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±25V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerDI3333-8
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    18.6 mOhm @ 10A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1W (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerWDFN
  • 다른 이름들
    DMN3027LFG-7DITR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    580pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    11.3nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 5.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    5.3A (Ta)

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DMN3033LDM-7

DMN3033LDM-7

기술: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7

기술: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13

기술: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3025LFG-13

DMN3025LFG-13

기술: MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

기술: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3032LFDB-13

DMN3032LFDB-13

기술: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3025LFDF-7

DMN3025LFDF-7

기술: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13

기술: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3030LFG-7

DMN3030LFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3029LFG-7

DMN3029LFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3026LVTQ-7

DMN3026LVTQ-7

기술: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

기술: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

기술: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3030LSS-13

DMN3030LSS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
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DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

기술: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
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DMN3025LFV-13

DMN3025LFV-13

기술: MOSFET N-CHAN 25V 30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3026LVTQ-13

DMN3026LVTQ-13

기술: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7

기술: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
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DMN3031LSS-13

DMN3031LSS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

제조업체: Diodes Incorporated
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DMN3025LFDF-13

DMN3025LFDF-13

기술: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
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