Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

*회사명
*이름
*제목

*이메일 주소
*전화 번호

*국가
*접촉 창
*이벤트 날짜

*메시지

Electronica 2024의 방문자

당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.

집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-어레이 > DMN601DWK-7

RFQs/주문 (0)

한국의

한국의

6153860

DMN601DWK-7 이미지

Diodes Incorporated

DMN601DWK-7

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품

3000+

$0.152

온라인 문의

규격

제품 모델

DMN601DWK-7
제조업체 / 브랜드

Diodes Incorporated
재고 수량

유품
기술

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

DMN601DWK-7.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.5V @ 1mA
제조업체 장치 패키지

SOT-363
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

2 Ohm @ 500mA, 10V
전력 - 최대

200mW
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
다른 이름들

DMN601DWK-7-F
DMN601DWK-FDITR
DMN601DWK-FDITR-ND
DMN601DWK-FTR
DMN601DWK-FTR-ND
DMN601DWK7
DMN601DWKDITR
작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

32 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

-
FET 유형

2 N-Channel (Dual)
FET 특징

Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss)

60V
상세 설명

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 200mW Surface Mount SOT-363
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

305mA
기본 부품 번호

DMN601DWK

관련 뉴스
배송
지불 방법

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025년1월13일

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024년12월31일

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024년12월23일

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024년12월12일

Microchip은 500 건의 해고를 발표했으며 구조 조정 비용은 3,8...

2024년12월4일

Quanta : AI 수요는 꾸준한 명령 스트림으로 계속 강력합니다.

2024년12월3일

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024년12월2일

삼성은 3D NAND 생산에서 Photoresist 사용을 크게 줄여 공급 ...

2024년12월2일

Vishay는 인수 된 NWF 웨이퍼 팹에 5,100 만 파운드를 투자 할 ...

2024년11월29일

트럼프의 관세 위협, Nvidia, Intel 공급 업체는 멕시코 계획을...

2024년11월28일

Intel은 미국 칩 법에 따라 7,800 억 달러의 보조금을 받고 110...

2024년11월27일

AMD는 방갈로르 디자인 센터의 두 번째 단계 건설을 시작합니다.

2024년11월26일

배송

지불

다음은 "DMN601DWK-7"관련 제품입니다.

DMN5L06WK-7

기술: MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN601VK-7

기술: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN601WK-7

기술: MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN6013LFG-7

기술: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN5L06WKQ-7

DMN5L06WKQ-7

기술: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN5L06W-7

기술: MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN601VKQ-7

기술: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN6017SK3-13

기술: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN601WKQ-13

기술: MOSFET NCH 60V SOT323

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN5L06VKQ-7

기술: MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN601K-7

기술: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN6013LFG-13

기술: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN6013LFGQ-7

기술: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN601WKQ-7

기술: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN6013LFGQ-13

기술: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN601TK-7

기술: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN601DMK-7

기술: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN6022SSD-13

기술: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN601DWKQ-7

기술: MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363

제조업체: Diodes Incorporated

유품

DMN6040SFDE-7

기술: MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN

제조업체: Diodes Incorporated

유품

우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.

팔로우

이용 약관 침해 정책 조회를 요청하다 우리에 대해 문의하기 사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.