Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > DMN62D0LFD-7
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1600004DMN62D0LFD-7 이미지Diodes Incorporated

DMN62D0LFD-7

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
3000+
$0.06
6000+
$0.053
15000+
$0.045
30000+
$0.042
75000+
$0.039
150000+
$0.034
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    DMN62D0LFD-7
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    X1-DFN1212-3
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    2 Ohm @ 100mA, 4V
  • 전력 소비 (최대)
    480mW (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    3-UDFN
  • 다른 이름들
    DMN62D0LFD-7DITR
    DMN62D0LFD-7TR
    DMN62D0LFD-7TR-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    20 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    31pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    500nC @ 4.5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    1.8V, 4V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    N-Channel 60V 310mA (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    310mA (Ta)
DMN61D9U-7

DMN61D9U-7

기술: MOSFET N-CH 60V 0.38A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN62D0LFB-7B

DMN62D0LFB-7B

기술: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN61D9UWQ-13

DMN61D9UWQ-13

기술: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN62D0LFB-7

DMN62D0LFB-7

기술: MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN61D9UDW-7

DMN61D9UDW-7

기술: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN61D9UWQ-7

DMN61D9UWQ-7

기술: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN61D9UW-13

DMN61D9UW-13

기술: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN62D0U-7

DMN62D0U-7

기술: MOSFET N-CH 60V 0.38A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7

기술: MOSFET N-CH 60V 0.34A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

기술: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN62D0UW-7

DMN62D0UW-7

기술: MOSFET N-CH 60V 0.34A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN62D1LFB-7B

DMN62D1LFB-7B

기술: MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

기술: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN62D0UT-7

DMN62D0UT-7

기술: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN62D0U-13

DMN62D0U-13

기술: MOSFET N-CH 60V 0.38A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN62D0UT-13

DMN62D0UT-13

기술: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN62D0UW-13

DMN62D0UW-13

기술: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN62D0UDW-7

DMN62D0UDW-7

기술: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN62D0UDW-13

DMN62D0UDW-13

기술: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7

기술: MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오