DMN90H2D2HCTI

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제품 모델

DMN90H2D2HCTI
제조업체 / 브랜드

Diodes Incorporated
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 준수
사양서

DMN90H2D2HCTI.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

5V @ 250µA
Vgs (최대)

±30V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

ITO-220AB
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

2.2 Ohm @ 3A, 10V
전력 소비 (최대)

40W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
다른 이름들

DMN90H2D2HCTI-ND
DMN90H2D2HCTIDI
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

Not Applicable
제조업체 표준 리드 타임

8 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1487pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

20.3nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

900V
상세 설명

N-Channel 900V 6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220AB
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

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