DMNH10H028SPSQ-13

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제품 모델

DMNH10H028SPSQ-13
제조업체 / 브랜드

Diodes Incorporated
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

DMNH10H028SPSQ-13.pdf
전압 - 테스트

2245pF @ 50V
전압 - 파괴

PowerDI5060-8
아이디 @ VGS (일) (최대)

28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (최대)

10V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
연속

-
RoHS 상태

Tape & Reel (TR)
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

40A (Tc)
편광

8-PowerTDFN
다른 이름들

DMNH10H028SPSQ-13DITR
작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

16 Weeks
제조업체 부품 번호

DMNH10H028SPSQ-13
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

36nC @ 10V
IGBT 유형

±20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

4V @ 250µA
FET 특징

N-Channel
확장 설명

N-Channel 100V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
소스 전압에 드레인 (Vdss)

-
기술

MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100V
용량 비율

1.6W (Ta)

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제조업체: Diodes Incorporated

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기술: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

제조업체: Panduit

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기술: MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T

제조업체: Diodes Incorporated

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제조업체: Diodes Incorporated

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기술: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

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기술: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

제조업체: Diodes Incorporated

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기술: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

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기술: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated

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제조업체: Diodes Incorporated

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