DMPH3010LPS-13

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규격

제품 모델

DMPH3010LPS-13
제조업체 / 브랜드

Diodes Incorporated
재고 수량

유품
기술

MOSFET P-CH 30V 60A POWERDI5060
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 준수
사양서

DMPH3010LPS-13.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.1V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

PowerDI5060-8
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

7.5 mOhm @ 10A, 10V
전력 소비 (최대)

2.6W (Ta)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-PowerTDFN
작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
제조업체 표준 리드 타임

36 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6807pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

139nC @ 10V
FET 유형

P-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

P-Channel 30V 60A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

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제조업체: Diodes Incorporated

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기술: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252

제조업체: Diodes Incorporated

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기술: MOSFET P-CH 40V 50A POWERDI5060

제조업체: Diodes Incorporated

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기술: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252

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기술: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

제조업체: Panduit

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