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2858396DMT10H025SSS-13 이미지Diodes Incorporated

DMT10H025SSS-13

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유품
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규격
  • 제품 모델
    DMT10H025SSS-13
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFETN-CHAN 100V SO-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMT10H025SSS-13.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SO
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    23 mOhm @ 20A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.4W (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 다른 이름들
    DMT10H025SSS-13DITR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1544pF @ 50V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    21.4nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    6V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    100V
  • 상세 설명
    N-Channel 100V 7.4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    7.4A (Ta)

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DMT1D68K

기술: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
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DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13

기술: MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13

기술: MOSFET N-CH 100V 7.3A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT1D33K

DMT1D33K

기술: CAP FILM 3300PF 10% 100VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7

기술: MOSFET N-CH 100V 10A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13

기술: MOSFET N-CH 100V 8.3A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13

기술: MOSFET N-CH 100V SO-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

기술: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

제조업체: Diodes Incorporated
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DMT1D15K-F

DMT1D15K-F

기술: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT1D1K-F

DMT1D1K-F

기술: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT1D22K-F

DMT1D22K-F

기술: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT1D1K

DMT1D1K

기술: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT10H015LFG-13

DMT10H015LFG-13

기술: MOSFET N-CH 100V 10A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
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DMT1D68K-F

DMT1D68K-F

기술: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
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DMT1P15K-F

DMT1P15K-F

기술: CAP FILM 0.15UF 10% 100VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
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DMT10H015LCG-7

DMT10H015LCG-7

기술: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

제조업체: Diodes Incorporated
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DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

기술: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

제조업체: Diodes Incorporated
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DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13

기술: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
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DMT1D22K

기술: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

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DMT1D47K-F

DMT1D47K-F

기술: CAP FILM 4700PF 10% 100VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
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