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5013826DMT3006LDK-7 이미지Diodes Incorporated

DMT3006LDK-7

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유품
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규격
  • 제품 모델
    DMT3006LDK-7
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMT3006LDK-7.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    V-DFN3030-8
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    6.5 mOhm @ 12A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.1W (Ta)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerWDFN
  • 다른 이름들
    DMT3006LDK-7DICT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1320pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    22.6nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 17.1A (Ta), 46.2A (Tc) 1.1W (Ta) Surface Mount V-DFN3030-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    17.1A (Ta), 46.2A (Tc)

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DMT3004LPS-13

DMT3004LPS-13

기술: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3003LFG-7

DMT3003LFG-7

기술: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3004LFG-7

DMT3004LFG-7

기술: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT2S1K-F

DMT2S1K-F

기술: CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT3003LFG-13

DMT3003LFG-13

기술: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3006LPS-13

DMT3006LPS-13

기술: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7

기술: MOSFET N-CH 30V 12A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13

기술: MOSFET N-CH 30V 12A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3006LFG-7

DMT3006LFG-7

기술: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3006LFG-13

DMT3006LFG-13

기술: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

기술: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT2P68K

DMT2P68K

기술: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT3004LFG-13

DMT3004LFG-13

기술: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3002LPS-13

DMT3002LPS-13

기술: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT2P68K-F

DMT2P68K-F

기술: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7

기술: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

기술: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3006LFDF-7

DMT3006LFDF-7

기술: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3006LFDF-13

DMT3006LFDF-13

기술: MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT2S47K-F

DMT2S47K-F

기술: CAP FILM 0.047UF 10% 250VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
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