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5056843DMT6008LFG-7 이미지Diodes Incorporated

DMT6008LFG-7

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유품
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규격
  • 제품 모델
    DMT6008LFG-7
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMT6008LFG-7.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±12V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerDI3333-8
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    7.5 mOhm @ 20A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    2.2W (Ta), 41W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerWDFN
  • 다른 이름들
    DMT6008LFG-7DITR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2713pF @ 30V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    50.4nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    N-Channel 60V 13A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    13A (Ta), 60A (Tc)

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DMT6009LCT

DMT6009LCT

기술: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

기술: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6009LSS-13

DMT6009LSS-13

기술: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6010LSS-13

DMT6010LSS-13

기술: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13

기술: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7

기술: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

기술: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

기술: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

기술: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6004SCT

DMT6004SCT

기술: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

기술: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

기술: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6010LPS-13

DMT6010LPS-13

기술: MOSFET N-CH 60V 13.5A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

기술: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7

기술: MOSFET N-CH 60V 11A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

기술: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
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DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13

기술: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

제조업체: Diodes Incorporated
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RFQ
DMT6009LPS-13

DMT6009LPS-13

기술: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
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RFQ
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

기술: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

제조업체: Diodes Incorporated
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DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

기술: MOSFET N-CH 60V 22A

제조업체: Diodes Incorporated
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