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2937740DMT6017LSS-13 이미지Diodes Incorporated

DMT6017LSS-13

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유품
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규격
  • 제품 모델
    DMT6017LSS-13
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMT6017LSS-13.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SO
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    18 mOhm @ 10A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.5W (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 다른 이름들
    DMT6017LSS-13DITR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    864pF @ 30V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    N-Channel 60V 9.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    9.2A (Ta)

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DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

기술: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT6016LPS-13

DMT6016LPS-13

기술: MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

기술: MOSFET N-CH 60V8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6016LFDF-13

DMT6016LFDF-13

기술: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7

기술: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT69M8LFV-13

DMT69M8LFV-13

기술: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7

기술: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6018LDR-7

DMT6018LDR-7

기술: MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT69M8LPS-13

DMT69M8LPS-13

기술: MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

기술: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6015LPS-13

DMT6015LPS-13

기술: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6018LDR-13

DMT6018LDR-13

기술: MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6015LSS-13

DMT6015LSS-13

기술: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

기술: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

기술: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13

기술: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT68M8LSS-13

DMT68M8LSS-13

기술: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
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DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

기술: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
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DMT6015LFV-13

DMT6015LFV-13

기술: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
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DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

기술: MOSFET N-CH 60V POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
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