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KBJ606G

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  • 제품 모델
    KBJ606G
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    RECT BRIDGE GPP 6A 600V KBJ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 준수
  • 사양서
    KBJ606G.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    600V
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1V @ 3A
  • 과학 기술
    Standard
  • 제조업체 장치 패키지
    KBJ
  • 연속
    -
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    4-SIP, KBJ
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    22 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Single Phase
  • 상세 설명
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole KBJ
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    6A

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제조업체: GeneSiC Semiconductor
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기술: DIODE BRIDGE 100V 4A KBJ

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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기술: RECT BRIDGE GPP 4A 50V KBJ

제조업체: Diodes Incorporated
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기술: DIODE BRIDGE 800V 4A KBJ

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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기술: RECT BRIDGE GPP 4A 800V KBJ

제조업체: Diodes Incorporated
유품
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기술: RECT BRIDGE GPP 6A 50V KBJ

제조업체: Diodes Incorporated
유품
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KBJ402G

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기술: RECT BRIDGE GPP 4A 200V KBJ

제조업체: Diodes Incorporated
유품
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KBJ406G

기술: RECT BRIDGE GPP 4A 600V KBJ

제조업체: Diodes Incorporated
유품
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KBJ608G

기술: RECT BRIDGE GPP 6A 800V KBJ

제조업체: Diodes Incorporated
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KBJ404G

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기술: RECT BRIDGE GPP 4A 400V KBJ

제조업체: Diodes Incorporated
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KBJ604G

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기술: RECT BRIDGE GPP 6A 400V KBJ

제조업체: Diodes Incorporated
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KBJ602G

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기술: RECT BRIDGE GPP 6A 200V KBJ

제조업체: Diodes Incorporated
유품
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기술: RECTIFIER BRIDGE GPP 100V 4A KBJ

제조업체: Diodes Incorporated
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KBJ410G

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기술: DIODE BRIDGE 1000V 4A KBJ

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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기술: RECT BRIDGE GPP 6A 1000V KBJ

제조업체: Diodes Incorporated
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기술: DIODE BRIDGE 200V 4A KBJ

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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기술: RECT BRIDGE GPP 4A 1000V KBJ

제조업체: Diodes Incorporated
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기술: DIODE BRIDGE 400V 4A KBJ

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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기술: DIODE BRIDGE 6A 1000V KBJ

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기술: RECTIFIER BRIDGE GPP 100V 6A KBJ

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