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3463112KBP10G 이미지Diodes Incorporated

KBP10G

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유품
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35+
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105+
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525+
$0.352
1015+
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규격
  • 제품 모델
    KBP10G
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    RECT BRIDGE GPP 1000V 1.5A KBP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 준수
  • 사양서
    KBP10G.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    1kV
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.1V @ 1.5A
  • 과학 기술
    Standard
  • 제조업체 장치 패키지
    KBP
  • 연속
    -
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    4-SIP, KBP
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    25 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Single Phase
  • 상세 설명
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBP
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 1000V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1.5A
  • 기본 부품 번호
    KBP10

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KBP10M-M4/51

KBP10M-M4/51

기술: RECT BRIDGE 1.5A 1000V KBPM

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
KBP105G C2

KBP105G C2

기술: BRIDGE DIODE 1A 600V GPP KBP

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
KBP103G C2G

KBP103G C2G

기술: BRIDGE DIODE 1A 200V GPP KBP

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
KBP10M-E4/51

KBP10M-E4/51

기술: DIODE 1.5A 1000V KBPM

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
KBP10M-BP

KBP10M-BP

기술: DIODE BRIDGE 2A 1000V KBPR

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
KBP103G C2

KBP103G C2

기술: BRIDGE DIODE 1A 200V GPP KBP

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
KBP105G C2G

KBP105G C2G

기술: BRIDGE DIODE 1A 600V GPP KBP

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
KBP153G C2

KBP153G C2

기술: BRIDGE DIODE 1.5A 200V GPP KBP

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
KBP106G C2G

KBP106G C2G

기술: BRIDGE DIODE 1A 800V GPP KBP

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
KBP152G C2G

KBP152G C2G

기술: BRIDGE DIODE 1.5A 100V GPP KBP

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
KBP151G C2

KBP151G C2

기술: BRIDGE DIODE 1.5A 50V GPP KBP

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
KBP152G C2

KBP152G C2

기술: BRIDGE DIODE 1.5A 100V GPP KBP

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
KBP151G C2G

KBP151G C2G

기술: BRIDGE DIODE 1.5A 50V GPP KBP

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
KBP107G C2

KBP107G C2

기술: BRIDGE DIODE 1A 1000V GPP KBP

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
KBP10M

KBP10M

기술: IC BRIDGE RECT 1.5A 1000V KBPM

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
KBP107G C2G

KBP107G C2G

기술: BRIDGE DIODE 1A 1000V GPP KBP

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
KBP10M-E4/45

KBP10M-E4/45

기술: DIODE 1.5A 1000V KBPM

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
KBP104G C2G

KBP104G C2G

기술: BRIDGE DIODE 1A 400V GPP KBP

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
KBP106G C2

KBP106G C2

기술: BRIDGE DIODE 1A 800V GPP KBP

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
KBP104G C2

KBP104G C2

기술: BRIDGE DIODE 1A 400V GPP KBP

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
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