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1705230MBR5H150VPTR-E1 이미지Diodes Incorporated

MBR5H150VPTR-E1

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  • 제품 모델
    MBR5H150VPTR-E1
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 준수
  • 사양서
    MBR5H150VPTR-E1.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    920mV @ 5A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    150V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-27
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Box (TB)
  • 패키지 / 케이스
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • 작동 온도 - 정션
    175°C (Max)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    22 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Schottky
  • 상세 설명
    Diode Schottky 150V 5A Through Hole DO-27
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    8µA @ 150V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    5A
  • VR, F @ 용량
    -

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MBR60020CT

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제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MBR5H150VPTR-G1

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기술: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

제조업체: Diodes Incorporated
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기술: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MBR600200CT

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기술: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MBR5H150VPA-E1

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기술: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

제조업체: Diodes Incorporated
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MBR5H100MFST1G

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기술: DIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFN

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MBR600150CT

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기술: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MBR5H150VPB-G1

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기술: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

제조업체: Diodes Incorporated
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MBR5H150VP-E1

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기술: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

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MBR5H150VPC-E1

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기술: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

제조업체: Diodes Incorporated
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MBR600150CTR

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기술: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MBR5H150VPB-E1

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기술: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

제조업체: Diodes Incorporated
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MBR60020CTR

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기술: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER

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MBR600100CTR

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기술: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER

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MBR5H150VP-G1

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기술: DIODE SCHOTTKY 60V TO277B

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MBR5H100MFST3G

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