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ZTX855

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규격
  • 제품 모델
    ZTX855
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    150V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    260mV @ 400mA, 4A
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 제조업체 장치 패키지
    E-Line (TO-92 compatible)
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    1.2W
  • 패키지 / 케이스
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 다른 이름들
    ZTX855DI
  • 작동 온도
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    20 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    90MHz
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 4A 90MHz 1.2W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    100 @ 1A, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    50nA (ICBO)
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    4A
FCR2WSJT-52-15K

FCR2WSJT-52-15K

기술: RES 2W 5% AXIAL

제조업체: Yageo
유품

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