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ZXMHC6A07N8TC 이미지

Diodes Incorporated

ZXMHC6A07N8TC

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온라인 문의

규격

제품 모델

ZXMHC6A07N8TC
제조업체 / 브랜드

Diodes Incorporated
재고 수량

유품
기술

MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

ZXMHC6A07N8TC.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

3V @ 250µA
제조업체 장치 패키지

8-SOP
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

250 mOhm @ 1.8A, 10V
전력 - 최대

870mW
포장

Original-Reel®
패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들

ZXMHC6A07N8DIDKR
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

20 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

166pF @ 40V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

3.2nC @ 10V
FET 유형

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET 특징

Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss)

60V
상세 설명

Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SOP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.39A, 1.28A
기본 부품 번호

ZXMHC6A07

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