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5227423ZXMN10B08E6TC 이미지Diodes Incorporated

ZXMN10B08E6TC

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규격
  • 제품 모델
    ZXMN10B08E6TC
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    ZXMN10B08E6TC.pdf
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-26
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    230 mOhm @ 1.6A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.1W (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-23-6
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    497pF @ 50V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    9.2nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.3V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    100V
  • 상세 설명
    N-Channel 100V 1.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    1.6A (Ta)

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다음은 "ZXMN10B08E6TC"관련 제품입니다.
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기술: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

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기술: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

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기술: MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK

제조업체: Diodes Incorporated
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기술: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN2A01FTC

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기술: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN2A01E6TC

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기술: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

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기술: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

제조업체: Diodes Incorporated
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기술: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
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기술: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

제조업체: Diodes Incorporated
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기술: MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK

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기술: MOSFET N-CH SOT23-3

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ZXMN10A08GTA

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기술: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

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ZXMN2A02X8TA

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기술: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

제조업체: Diodes Incorporated
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RFQ
ZXMN10A11GTC

ZXMN10A11GTC

기술: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
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