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5465864ZXMN3A02N8TA 이미지Diodes Incorporated

ZXMN3A02N8TA

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규격
  • 제품 모델
    ZXMN3A02N8TA
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    ZXMN3A02N8TA.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SO
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    25 mOhm @ 12A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.56W (Ta)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 다른 이름들
    ZXMN3A02N8CT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1400pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    26.8nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 7.3A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    7.3A (Ta)

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ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC

기술: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN3A05N8TA

ZXMN3A05N8TA

기술: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC

기술: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

기술: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN2F34FHTA

ZXMN2F34FHTA

기술: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN3A01E6TA

ZXMN3A01E6TA

기술: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

기술: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA

기술: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA

기술: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

기술: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA

기술: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN3A01E6TC

ZXMN3A01E6TC

기술: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN2F34MATA

ZXMN2F34MATA

기술: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA

기술: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

기술: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

기술: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

기술: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
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RFQ
ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA

기술: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

기술: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA

기술: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
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