ZXMN6A11DN8TC

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규격

제품 모델

ZXMN6A11DN8TC
제조업체 / 브랜드

Diodes Incorporated
재고 수량

유품
기술

MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

ZXMN6A11DN8TC.pdf
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

1V @ 250µA (Min)
제조업체 장치 패키지

8-SOP
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

120 mOhm @ 2.5A, 10V
전력 - 최대

1.8W
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 40V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

5.7nC @ 10V
FET 유형

2 N-Channel (Dual)
FET 특징

Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss)

60V
상세 설명

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.5A 1.8W Surface Mount 8-SOP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A

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다음은 "ZXMN6A11DN8TC"관련 제품입니다.

ZXMN6A08KTC

기술: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

제조업체: Diodes Incorporated

유품

ZXMN6A11DN8TC

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