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EPC2021ENGR

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    EPC2021ENGR
  • 제조업체 / 브랜드
    EPC
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    유품
  • 기술
    TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    EPC2021ENGR.pdf
  • 전압 - 테스트
    1700pF @ 40V
  • 전압 - 파괴
    Die
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5 mOhm @ 29A, 5V
  • 과학 기술
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 연속
    eGaN®
  • RoHS 상태
    Digi-Reel®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    60A (Ta)
  • 편광
    Die
  • 다른 이름들
    917-EPC2021ENGRDKR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 부품 번호
    EPC2021ENGR
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    15nC @ 5V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    2.5V @ 14mA
  • FET 특징
    N-Channel
  • 확장 설명
    N-Channel 80V 60A (Ta) Surface Mount Die
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    -
  • 기술
    TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    80V
  • 용량 비율
    -

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EPC2016C

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기술: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

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EPC2019

EPC2019

기술: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE

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EPC2022

EPC2022

기술: TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE

제조업체: EPC
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EPC2022ENGRT

EPC2022ENGRT

기술: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE

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EPC2025

EPC2025

기술: TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE

제조업체: EPC
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EPC2024

EPC2024

기술: MOSFET NCH 40V 60A DIE

제조업체: EPC
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EPC2024ENG

EPC2024ENG

기술: TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE

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EPC2020

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기술: TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE

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EPC2016

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기술: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE

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EPC2019ENG

EPC2019ENG

기술: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE

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EPC2021

EPC2021

기술: TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE

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EPC2023

EPC2023

기술: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

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EPC2023ENGR

기술: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

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EPC2020ENG

EPC2020ENG

기술: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE

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기술: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE

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기술: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

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