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EPC2031ENGRT

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  • 제품 모델
    EPC2031ENGRT
  • 제조업체 / 브랜드
    EPC
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET NCH 60V 31A DIE
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    EPC2031ENGRT.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 15mA
  • Vgs (최대)
    +6V, -4V
  • 과학 기술
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 제조업체 장치 패키지
    Die
  • 연속
    eGaN®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    2.6 mOhm @ 30A, 5V
  • 전력 소비 (최대)
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    Die
  • 다른 이름들
    917-EPC2031ENGRTR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1800pF @ 300V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    17nC @ 5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    N-Channel 60V 31A (Ta) Surface Mount Die
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    31A (Ta)

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기술: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE

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기술: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

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EPC2029ENGRT

기술: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

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EPC2034ENGRT

EPC2034ENGRT

기술: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE

제조업체: EPC
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EPC2030

EPC2030

기술: MOSFET NCH 40V 31A DIE

제조업체: EPC
유품
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EPC2033

EPC2033

기술: TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE

제조업체: EPC
유품
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EPC2033ENGR

EPC2033ENGR

기술: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE

제조업체: EPC
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EPC2029

EPC2029

기술: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

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유품
RFQ
EPC2031

EPC2031

기술: MOSFET NCH 60V 31A DIE

제조업체: EPC
유품
RFQ
EPC2032ENGRT

EPC2032ENGRT

기술: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

제조업체: EPC
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EPC2025

EPC2025

기술: TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE

제조업체: EPC
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EPC2034ENGR

EPC2034ENGR

기술: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE

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EPC2030ENGRT

EPC2030ENGRT

기술: MOSFET NCH 40V 31A DIE

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EPC2034

EPC2034

기술: TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE

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EPC2035

EPC2035

기술: TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE

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기술: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE

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EPC2032

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