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EPC2106ENGRT

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규격
  • 제품 모델
    EPC2106ENGRT
  • 제조업체 / 브랜드
    EPC
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    EPC2106ENGRT.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 600µA
  • 제조업체 장치 패키지
    Die
  • 연속
    eGaN®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    70 mOhm @ 2A, 5V
  • 전력 - 최대
    -
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    Die
  • 다른 이름들
    917-EPC2106ENGRDKR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    75pF @ 50V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    0.73nC @ 5V
  • FET 유형
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET 특징
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    100V
  • 상세 설명
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    1.7A

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EPC2110

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EPC2103ENG

기술: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

제조업체: EPC
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EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

기술: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

제조업체: EPC
유품
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EPC2108

EPC2108

기술: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

제조업체: EPC
유품
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EPC2103

EPC2103

기술: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

제조업체: EPC
유품
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EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

기술: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

제조업체: EPC
유품
RFQ
EPC2104

EPC2104

기술: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

제조업체: EPC
유품
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EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

기술: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

제조업체: EPC
유품
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EPC2105ENG

EPC2105ENG

기술: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

제조업체: EPC
유품
RFQ
EPC2105

EPC2105

기술: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

제조업체: EPC
유품
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EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

기술: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

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EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

기술: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

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EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

기술: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

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EPC2104ENG

EPC2104ENG

기술: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

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EPC2111

EPC2111

기술: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

제조업체: EPC
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EPC2107

EPC2107

기술: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

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EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

기술: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

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EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

기술: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

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EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

기술: 200 V GAN IC FET DRIVER

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EPC2106

기술: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

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