Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > EPC2203
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
3641035EPC2203 이미지EPC

EPC2203

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
2500+
$0.403
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    EPC2203
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 600µA
  • Vgs (최대)
    +5.75V, -4V
  • 과학 기술
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 제조업체 장치 패키지
    Die
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101, eGaN®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    80 mOhm @ 1A, 5V
  • 전력 소비 (최대)
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    Die
  • 다른 이름들
    917-1200-2
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    14 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    88pF @ 50V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    0.83nC @ 5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    80V
  • 상세 설명
    N-Channel 80V 1.7A Surface Mount Die
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    1.7A
EPC2LI20NGA

EPC2LI20NGA

기술: IC FPGA FBGA

제조업체: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
유품
EPC2TC32

EPC2TC32

기술: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 32TQFP

제조업체: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
유품
EPC2818

EPC2818

기술: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

제조업체: EPC
유품
EPC2LI20N

EPC2LI20N

기술: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

제조업체: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
유품
EPC2815

EPC2815

기술: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

제조업체: EPC
유품
EPC2202

EPC2202

기술: GANFET N-CH 80V 18A DIE

제조업체: EPC
유품
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

기술: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

제조업체: EPC
유품
EPC2LC20

EPC2LC20

기술: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

제조업체: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
유품
EPC2111

EPC2111

기술: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

제조업체: EPC
유품
EPC2801

EPC2801

기술: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

제조업체: EPC
유품
EPC2108

EPC2108

기술: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

제조업체: EPC
유품
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

기술: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

제조업체: EPC
유품
EPC2LI20

EPC2LI20

기술: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

제조업체: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
유품
EPC2110

EPC2110

기술: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

제조업체: EPC
유품
EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

기술: 200 V GAN IC FET DRIVER

제조업체: EPC
유품
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

기술: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

제조업체: EPC
유품
EPC2LC20EM

EPC2LC20EM

기술: IC FPGA FBGA

제조업체: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
유품
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

기술: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

제조업체: EPC
유품
EPC2LC20N

EPC2LC20N

기술: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

제조업체: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
유품
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

기술: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

제조업체: EPC
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오