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15151801N4385GP-E3/54 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

1N4385GP-E3/54

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유품
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8000+
$0.104
12000+
$0.097
28000+
$0.089
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규격
  • 제품 모델
    1N4385GP-E3/54
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1N4385GP-E3/54.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-204AC (DO-15)
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    SUPERECTIFIER®
  • 역 회복 시간 (trr)
    2µs
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-204AC, DO-15, Axial
  • 다른 이름들
    1N4385GP-E3/54-ND
    1N4385GP-E3/54GITR
    1N4385GPE354
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    48 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-204AC (DO-15)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    15pF @ 4V, 1MHz
  • 기본 부품 번호
    1N4385

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1N4436

1N4436

기술: SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N4437_FT

1N4437_FT

기술: BRIDGE RECT 1PHASE 400V TO3

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N4446_T50R

1N4446_T50R

기술: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
1N4446

1N4446

기술: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N4384GP-E3/73

1N4384GP-E3/73

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
1N4372A

1N4372A

기술: DIODE ZENER 3V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N4383GPHE3/54

1N4383GPHE3/54

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N4446 TR

1N4446 TR

기술: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

제조업체: Central Semiconductor
유품
RFQ
1N4372A_T50R

1N4372A_T50R

기술: DIODE ZENER 3V 500MW DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
1N4444-1

1N4444-1

기술: DIODE SWITCHING

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N4384GP-E3/54

1N4384GP-E3/54

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
1N4383GP-E3/54

1N4383GP-E3/54

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
1N4446TR

1N4446TR

기술: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
1N4372A_T50A

1N4372A_T50A

기술: DIODE ZENER 3V 500MW DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
1N4446

1N4446

기술: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
1N4385GPHE3/54

1N4385GPHE3/54

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N4446 BK

1N4446 BK

기술: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

제조업체: Central Semiconductor
유품
RFQ
1N4384GPHE3/73

1N4384GPHE3/73

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N4372A

1N4372A

기술: DIODE ZENER 3V 500MW DO35

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
1N4384GPHE3/54

1N4384GPHE3/54

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
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