Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 다이오드 정류기-단일 > 1N5062TR
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
57358781N5062TR 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

1N5062TR

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$0.57
10+
$0.487
100+
$0.363
500+
$0.286
1000+
$0.221
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    1N5062TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1N5062TR.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.15V @ 2.5A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    800V
  • 제조업체 장치 패키지
    SOD-57
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    4µs
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    SOD-57, Axial
  • 다른 이름들
    1N5062CT
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Avalanche
  • 상세 설명
    Diode Avalanche 800V 2A Through Hole SOD-57
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1µA @ 800V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    2A
  • VR, F @ 용량
    40pF @ 0V, 1MHz
  • 기본 부품 번호
    1N5062

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024년11월13일

한국은 트럼프의 위협에 대항하기 위해 칩 법을 제정 할 계획입...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "1N5062TR"관련 제품입니다.
1N5186US

1N5186US

기술: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5061TR

1N5061TR

기술: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N5184

1N5184

기술: DIODE GEN PURP 10KV 100MA SAXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5188US

1N5188US

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5061GP-E3/54

1N5061GP-E3/54

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
1N5061 TR

1N5061 TR

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A

제조업체: Central Semiconductor
유품
RFQ
1N5182

1N5182

기술: DIODE GEN PURP 5KV 100MA AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5187US

1N5187US

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5062GP-E3/54

1N5062GP-E3/54

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N5062TAP

1N5062TAP

기술: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N5062GP-E3/73

1N5062GP-E3/73

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
1N5181

1N5181

기술: DIODE GEN PURP 4KV 100MA AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5183

1N5183

기술: DIODE GEN PURP 7.5KV 100MA AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5061GPHE3/54

1N5061GPHE3/54

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N5062GPHE3/54

1N5062GPHE3/54

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N5062GPHE3/73

1N5062GPHE3/73

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N5187

1N5187

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5186

1N5186

기술: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5188

1N5188

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5061TAP

1N5061TAP

기술: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.