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6679207BYG10Y-M3/TR3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

BYG10Y-M3/TR3

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  • 제품 모델
    BYG10Y-M3/TR3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    BYG10Y-M3/TR3.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.15V @ 1.5A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    1600V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AC (SMA)
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 역 회복 시간 (trr)
    4µs
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AC, SMA
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    44 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Avalanche
  • 상세 설명
    Diode Avalanche 1600V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1µA @ 1600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1.5A
  • VR, F @ 용량
    -

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BYG10MHM3/TR3

BYG10MHM3/TR3

기술: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
BYG20D R3G

BYG20D R3G

기술: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
BYG10Y-M3/TR

BYG10Y-M3/TR

기술: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
BYG10YHM3_A/I

BYG10YHM3_A/I

기술: 1.5A,1600V,STD,AVALANCHE,SMD

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
BYG10MHM3/TR

BYG10MHM3/TR

기술: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
BYG10MHE3_A/H

BYG10MHE3_A/H

기술: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
BYG20D-E3/TR3

BYG20D-E3/TR3

기술: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
BYG10YHE3_A/H

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기술: 1.5A,1600V,STD,AVALANCHE,SMD

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG20D-M3/TR

BYG20D-M3/TR

기술: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG10YHE3_A/I

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기술: 1.5A,1600V,STD,AVALANCHE,SMD

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BYG10MHM3_A/H

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기술: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

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BYG10MHE3/TR3

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BYG10Y-E3/TR3

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BYG10YHM3_A/H

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BYG10MHE3_A/I

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BYG20D M2G

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