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BYM12-150HE3_A/H

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  • 제품 모델
    BYM12-150HE3_A/H
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    BYM12-150HE3_A/H.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    150V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-213AB
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
  • 역 회복 시간 (trr)
    50ns
  • 패키지 / 케이스
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 제조업체 표준 리드 타임
    35 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 150V 1A Surface Mount DO-213AB
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 150V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    20pF @ 4V, 1MHz

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BYM12-100-E3/96

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기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
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BYM12-100HE3/97

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기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYM12-300HE3/96

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기술: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYM12-200HE3_A/I

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기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYM12-200-E3/96

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기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYM12-100-E3/97

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기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

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BYM12-150HE3/96

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기술: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

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BYM12-300-E3/97

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기술: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB

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BYM12-100HE3_A/I

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기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

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BYM12-150HE3_A/I

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기술: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

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BYM12-150-E3/96

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BYM12-200HE3/96

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BYM12-100HE3_A/H

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기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

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BYM12-300-E3/96

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