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CS3M-E3/H

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규격
  • 제품 모델
    CS3M-E3/H
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
    CS3M-E3/H.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.2V @ 3A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    1000V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AB (SMC)
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    2.8µs
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AB, SMC
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 제조업체 표준 리드 타임
    28 Weeks
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 1000V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 1000V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    3A
  • VR, F @ 용량
    26pF @ 4V, 1MHz

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CS3FR050E

기술: RES 0.05 OHM 3W 1% 4SIP

제조업체: Ohmite
유품
RFQ
CS3FR001E

CS3FR001E

기술: RES 0.001 OHM 3W 1% 4SIP

제조업체: Ohmite
유품
RFQ
CS3FR020E

CS3FR020E

기술: RES 0.02 OHM 3W 1% 4SIP

제조업체: Ohmite
유품
RFQ
CS3J-E3/I

CS3J-E3/I

기술: DIODE GPP 600V 3.0A DO-214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
CS3FR010

CS3FR010

기술: RES 0.01 OHM 3W 1% 4SIP

제조업체: Ohmite
유품
RFQ
CS3K-E3/I

CS3K-E3/I

기술: DIODE GPP 800V 2A DO-214AB SMC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
CS3K-E3/H

CS3K-E3/H

기술: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
CS3FR036E

CS3FR036E

기술: RES 0.036 OHM 3W 1% 4SIP

제조업체: Ohmite
유품
RFQ
CS3G-E3/H

CS3G-E3/H

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
CS3FR002E

CS3FR002E

기술: RES 0.002 OHM 3W 1% 4SIP

제조업체: Ohmite
유품
RFQ
CS3M-E3/I

CS3M-E3/I

기술: DIODE GPP 1000V 3.0A DO-214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
CS3J-E3/H

CS3J-E3/H

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
CS3G-E3/I

CS3G-E3/I

기술: DIODE GPP 400V 3.0A DO-214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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기술: RES 0.03 OHM 3W 1% 4SIP

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기술: RES 0.025 OHM 3W 1% 4SIP

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기술: RES 0.005 OHM 3W 1% 4SIP

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기술: RES 0.01 OHM 3W 1% 4SIP

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기술: RES 0.06 OHM 3W 1% 4SIP

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CS3FR003E

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기술: RES 0.003 OHM 3W 1% 4SIP

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기술: RES 0.015 OHM 3W 1% 4SIP

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