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GA0402A100FXAAP31G

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  • 제품 모델
    GA0402A100FXAAP31G
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    GA0402A100FXAAP31G.pdf
  • 전압 - 정격
    50V
  • 용인
    ±1%
  • 두께 (최대)
    0.024" (0.60mm)
  • 온도 계수
    C0G, NP0
  • 크기 / 치수
    0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
  • 연속
    GA
  • 등급
    AEC-Q200
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    0402 (1005 Metric)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount, MLCC
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 리드 (Lead)
    -
  • 리드 간격
    -
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 높이 - 장착 (최대)
    -
  • 풍모
    -
  • 고장율
    -
  • 상세 설명
    10pF ±1% 50V Ceramic Capacitor C0G, NP0 0402 (1005 Metric)
  • 정전 용량
    10pF
  • 응용 프로그램
    Automotive

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GA0381M

GA0381M

기술: SPEAKER 8OHM 200MW TOP PORT 79DB

제조업체: CUI, Inc.
유품
RFQ
GA03IDDJT30-FR4

GA03IDDJT30-FR4

기술: BOARD GATE DRIVER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
GA0402A100JXAAP31G

GA0402A100JXAAP31G

기술: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA0402A100FXXAP31G

GA0402A100FXXAP31G

기술: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA0402A100JXBAP31G

GA0402A100JXBAP31G

기술: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA0402A100JXBAC31G

GA0402A100JXBAC31G

기술: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA0402A100GXXAP31G

GA0402A100GXXAP31G

기술: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA01PNS80-220

GA01PNS80-220

기술: DIODE SILICON CARBIDE 8KV

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
GA0402A100JXXAC31G

GA0402A100JXXAC31G

기술: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA0402A100JXXAP31G

GA0402A100JXXAP31G

기술: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA0402A100GXAAP31G

GA0402A100GXAAP31G

기술: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA0402A100GXBAP31G

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기술: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA0402A100GXAAC31G

GA0402A100GXAAC31G

기술: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
GA0402A100GXXAC31G

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기술: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA0402A100JXAAC31G

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기술: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA0402A100GXBAC31G

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기술: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
GA0402A100FXBAP31G

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기술: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA01PNS150-220

GA01PNS150-220

기술: DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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GA03JT12-247

GA03JT12-247

기술: TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
GA0402A100KXAAC31G

GA0402A100KXAAC31G

기술: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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