GBL10-E3/51

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규격

제품 모델

GBL10-E3/51
제조업체 / 브랜드

Electro-Films (EFI) / Vishay
재고 수량

유품
기술

DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.GBL10-E3/51.pdf
2.GBL10-E3/51.pdf
전압 - 피크 역 (최대)

1kV
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

1.1V @ 4A
과학 기술

Standard
제조업체 장치 패키지

GBL
연속

-
포장

Tray
패키지 / 케이스

4-SIP, GBL
다른 이름들

GBL10-E3/51-ND
GBL10-E3/51GI
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

46 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
다이오드 유형

Single Phase
상세 설명

Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBL
전류 - 누설 Vr에서 역방향

5µA @ 1000V
전류 - 평균 정류 (Io)

3A

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기술: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A GBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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기술: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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기술: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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기술: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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기술: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RFQ

GBL10 D2G

기술: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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GBL08-M3/45

기술: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

GBL08-M3/51

기술: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A GBL

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기술: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A GBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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기술: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A GBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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기술: BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL

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