다음은 "GBLA08-M3/51"관련 제품입니다.
기술: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL
제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
기술: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
기술: DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL
제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
기술: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
기술: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL
제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
기술: DIODE GPP 1PH 4A 400V GBL
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL
제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
기술: DIODE GPP 1PH 4A 400V GBL
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL
제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
기술: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL
제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
기술: BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품